Telefona Samsung Galaxy S7 in Galaxy S7 edge podpirata hitro polnjenje, tako pri Exynos 8890 kot pri Snapdragon 820 različici. Qualcomm Snapdragon 820 SoC, ki bo na voljo v Ameriki izvirno podpira hitro polnjenje Quick Charge 3.0, ki je tretja generacija in je 45% bolj efektivna kot 2.0.
Žal pa Samsungov domači nabor čipov Exynos 8890 podpira zgolj ekvivalent Qualcommovega hitrega polnjenja Quick Charge 2.0, ki sta ga imela že Galaxy S6 in Galaxy S6 edge. Torej pri hitrem polnjenju ni nobenega napredka, a bi pri Snapdragon 820 bi lahko bil. Žal pa se je kot vse kaže Samsung odločil za enako uporabniško izkušnjo pri obeh različicah in tako ni izkoristil polnega potenciala Snapdragon 820 SoC-ja.
Za razliko od Samsung Galaxy S7 in Galaxy S7 edge pa bo LG G5, ki je prav tako opremljen s Snapdragon 820 SoC pa podpira Qualcomm Quick Charge 3.0.